Nie. | Obiekt testowy | Kryterium | |
1 | Napięcie | Napięcie ładowania | 4,2 ± 0,05 V |
Zrównoważone napięcie dla pojedynczej komórki |
4,2±5mA |
||
2 |
Aktualny | Zrównoważyć prąd dla pojedynczej komórki |
¤200μA |
Obecne zużycie |
35A |
||
Maksymalny ciągły prąd ładowania |
35A |
||
Maksymalny ciągły prąd rozładowania |
4.25V±0.025V |
||
3 |
Ochrona przed nadmiernym ładowaniem |
Napięcie wykrywania nadmiernego naładowania dla pojedynczej komórki |
0,5S (1,5S) |
Nadmierny czas opóźnienia wykrywania ładunku |
4.15V±0.05V |
||
Nadmierne napięcie zwalniania ładunku dla pojedynczej komórki |
2,70 V ± 0,08 V |
||
4 |
Ochrona przed rozładowaniem |
Napięcie wykrywania nadmiernego rozładowania dla pojedynczej komórki |
2,75±0,09V |
Czas opóźnienia wykrywania nadmiernego rozładowania |
0,5S (1,5S) |
||
Nadmierne napięcie wyzwalania rozładowania dla pojedynczej komórki |
3.0±0.10V |
||
5 |
Zabezpieczenie nadprądowe |
Nadprądowe napięcie wykrywania |
100±25mv |
Nadprądowy prąd wykrywania |
18±2A |
||
Czas opóźnienia wykrywania |
100ms500ms |
||
Warunek zwolnienia |
70±5A |
||
6 |
Krótka ochrona |
Warunki wykrywania |
0,5S (1,5S) |
Czas opóźnienia wykrywania |
3.0±0.10V |
||
Warunek zwolnienia |
100±25mv |
||
7 |
Opór |
Obwody zabezpieczająceï¼MOSFETï¼ |
70±5A |
8 |
Temperatura |
Zakres temperatury pracy |
500mS1500mS |
Zakres temperatur przechowywania |
Obcinanie obciążenia, automatyczne odzyskiwanie |
||
9 |
Ochrona temperatury |
Ochrona przed wysoką temperaturą ładowania |
Zwarcie zewnętrzne |
Ochrona przed ładowaniem w niskiej temperaturze |
200-500us |
||
Rozładowanie ochrony przed wysoką temperaturą |
Obcinanie obciążenia, automatyczne odzyskiwanie |
||
Ładowanie w wysokiej temperaturze Release |
¤50mΩ |
||
10 |
Protokół komunikacyjny |
|
I2C |
11 |
Dokładność pojemności prądu napięciowego |
|
±1% |
12 |
Typowa pojemność baterii |
|
9000 mAh |